Hauptspeicher RAM Memory Unterschiede - Computer Faqs
Technik Seite Arbeitsspeicher RAM Hauptspeicher Unterschiede Speichermodule ECC und Registered Memory DDR, EDO, Chips, Bänke Bezeichnungen - es gibt viele verschiedene Speichermodule, DDR, EDO, RAM Chips und Bänke, Simms und Dimms Module, Kennzeichnungen, Bedeutung von Original Speicher on 3rd Information Memories Hauptspeicher Info
Hauptspeicher Arbeitsspeicher Speicher RAM Memory Unterschiede - Computer Faqs
Was ist der Unterschied zwischen den verschiedenen "PCxxx" Bezeichnungen?
Mit den verschiedenen PCxxx Bezeichnungen wird hauptsächlich die Geschwindigkeit
bestimmter Module angegeben. Zu Anfang war zum Beispiel PC100 die Bezeichnung für den
entsprechenden Speicherstandard, mittlerweile gibt es aber so viele "PC"-Bezeichnungen,
dass sich dahinter mehrere Standards verbergen
Mit PC66, PC100 und PC133 wurde direkt der jeweilige Bustakt in MHz erwähnt. Die
Speichermodule waren zudem abwärtskompatibel, PC133 liefen somit auch in den meisten
PC100 Mainboards
Bei SDRAM-DDR hat man eine etwas andere Art der Bezeichnung gewählt. Mit den
Bezeichnungen DDR200, DDR266, DDR333, DDR400, DDR433, DDR466, DDR500, DDR533 und DDR550
wird hier auf den Bustakt in Double Data Rate hingewiesen: 100 bis 275 "echte"
MHz. Zusätzlich wird jedes Modul auch noch vergleichend mit einer PC-Bezeichnung
angegeben, welches den maximalen Datendurchsatz in MB/s angibt: PC1600, PC2100, PC2700,
PC3200, PC3500, PC3700, PC4000, PC4300 und PC4400
Die Bezeichnungen für SDRAM-DDR2 sind fast identisch mit herkömmlichen
DDR-Speicher. Mit den Bezeichnungen DDR2-400, DDR2-533 und DDR2-667 wird der Bustakt in
Double Data Rate angegeben (200 - 333 MHz), die Bezeichnungen PC2-3200, PC2-4300 und
PC2-5300 beziehen sich auf den maximalen Datendurchsatz in MB/s
Da RDRAM RIMM auch mit Double Data Rate laufen, wurde aus den "echten" 400 MHz
kurzerhand PC800. Dies wurde bei allen folgenden Geschwindigkeiten beibehalten: PC600,
PC700, PC800, PC1066 sowie PC1200
Wenn also die Bezeichnung auf dem Modul mit der Bezeichnung auf dem Mainboard übereinstimmt,
ist es sehr wahrscheinlich, dass die Speichermodule auf einem bestimmten Board auch
laufen werden. Bestimmte Boards unterstützen auch Dual-Channel-Speicher, es können
zwei identische Module so eingesetzt werden, daß sich die Bandbreite verdoppelt, da auf
die Module unabhängig voneinander zugegriffen werden kann
Hauptspeicher Welche Bauformen gibt es bei Speichermodulen ?
Da Speicherchips mit mehreren hundert Megabyte pro Stück nicht produziert werden können,
wird jeweils eine bestimmte Anzahl Chips mit einer bestimmten Kapazität zu einer
kleinen Platine, dem Speichermodul, mit der gewünschten Gesamtkapazität zusammengefasst.
Die Module werden dann über auf dem Mainboard vorhandene Slots mit dem Rest des
Computers verbunden. Dieses Prinzip ist wesentlich flexibler, als das direkte Auflöten
von Chips auf ein Mainboard. Bei Grafikkarten hingegen werden die Speicherchips direkt
mit der Platine verbundenDie verschiedenen Bauformen können, so wie verschiedene Speicherarten, nicht
gemeinsam auf einem Mainboard verwendet werden. Im folgenden eine kurze Übersicht über
die bekanntesten Bauformen
Hauptspeicher - SIM Module
Single Inline Memory mit 72 Pins waren für Fast Page
Modus DRAM FPM notwendig, der Ende der 90er
allerdings schnell durch EDO Speicher Enhanced Data Output ersetzt wurde. Obwohl es 64 MB
PS/2 SIMMs gibt,
war pro Modul üblicherweise bei 32 GB Schluss. Das Modul
mit 72 Pins setzte man auch für den etwas schnelleren EDO
DRAM ein, wo es für bessere Leseleistung beim
Auslesen zahlreicher Daten einer Seite ging, sofern die
Zeilen Adresse nicht verändert werden musste. Die
maximale Bandbreite von EDO lag bei 266 MB/s
Hauptspeicher - SDRAM
nach EDO folgte dann synchroner DRAM auf 128 Pin DIMMs
(64 Bit Datenbus bei 3,3 V) – wo die Taktrate entweder
durch den Systembus oder den Memory Controller bestimmt
wird. Bereits die erste Generation von PC66-Speicher war
doppelt so schnell wie EDO DRAM und auch die folgenden
Generationen haben sich gesteigert: PC100 und PC133 fanden
Verbreitung
Hauptspeicher - DDR SDRAM
Danach wurde Double Data Rate entwickelt, der 184 Pin DDR
DIMMs nutzte. Durch Datenübermittlung mit bis zu 200
MHz Grundtaktung DDR400 sowohl während der fallenden
als auch der steigenden Taktflanke konnte der
Datendurchsatz verdoppelt werden. Die Spannungsversorgung
wurde derweil auf 2,5 V gesenktWährend normale SDRAM Module bei einem Takt von 133 MHz
eine Datenübertragungsrate von 1,06 GB/s bieten
arbeiten Module mit DDR SDRAM nahezu mit der doppelten
Datenrate. Möglich wird das durch einen relativ simplen
Trick: Sowohl bei der auf als auch bei der absteigenden
Flanke des Taktsignals wird ein Datenbit übertragen
anstatt wie bisher nur bei der aufsteigenden
Damit das Double Data Rate Verfahren zu einer
Beschleunigung führt muss die Anzahl zusammenhängend
angeforderter Daten = Burst Length immer gleich oder größer
als die doppelte Busbreite sein. Da das nicht immer der
Fall sein kann ist DDR SDRAM im Vergleich zu einfachem
SDRAM bei gleichem Takt nicht exakt doppelt so schnell.
Ein weiterer Grund ist dass Adress und Steuersignale im
Gegensatz zu den Datensignalen nur mit einer Taktflanke
gegeben werden
DDR SDRAM Speichermodule DIMM besitzen 184 Kontakte
Pins (DDR2-SDRAM DIMM/DDR3-SDRAM DIMM: 240, SDRAM DIMM:
168 Kontakte)
DDR 200 bis DDR 400 sowie die damit aufgebauten PC
1600 bis PC 3200 Speichermodule sind von der JEDEC als
JESD79 standardisiert. Alle davon abweichenden Module
orientieren sich zwar von den Bezeichnungen her an den
Standards aber jeder Hersteller setzt bei den
elektrischen Eigenschaften der oft als Übertakter
Speicher angebotenen Module seine eigenen
Spezifikationen und arbeitet oft mit exzessiver
Überspannung
Einen zusätzlichen Sicherheitsgewinn bringen die oft
bei Servern eingesetzten Speichermodule mit ECC (Error
Checking and Correction) oder auch Registered Module mit
Signalpuffer. Solche Speichermodule sind in allen
standardisierten Taktfrequenzen erhältlich und an der
zusätzlichen Bezeichnung R, ECC oder R
ECC erkennbar PC-1600R PC-2100 ECC oder PC-2700R ECC
Chip
|
Modul |
Speichertakt |
I/O Takt |
Effektiver Takt |
rate pro Modul |
rate Dual
Channel |
DDR-200 |
PC-1600 |
100 MHz |
100 MHz |
200 MHz |
1,6 GB/s |
3,2 GB/s |
DDR-266 |
PC-2100 |
133 MHz |
133 MHz |
266 MHz |
2,1 GB/s |
4,2 GB/s |
DDR-333 |
PC-2700 |
166 MHz |
166 MHz |
333 MHz |
2,7 GB/s |
5,4 GB/s |
DDR-400 |
PC-3200 |
200 MHz |
200 MHz |
400 MHz |
3,2 GB/s |
6,4 GB/s |
Hauptspeicher - DDR Speicher Fragen und Antworten
laut Beschreibung braucht ein Mainboard DDR-RAM PC1600 oder PC2100 also mit 266 MHz. Diese sind
aber (zumindest grösser als 512 MB) nicht mehr oder kaum noch zu bekommen
Deshalb die Frage: Funktionieren auch schnellere DDR RAMs also z.B. 400 MHz ?
Und wenn ja, funktioniert auch Mischbestückung, also ein vorhandener 512 MB Riegel 266 MHz
zusammen mit einem neuen noch zu kaufenden 1 GB Riegel mit 400 MHz
Antwort: Wir verbauen grosse Mengen an 1GB DDR400 Samsung Originalspeicher in Systemen mit VIA KT333
Chipsatz und teilweise auch in KT266 Chipsatz Hauptplatinen ! Die Ram die drinnen sind nehmen wir aber heraus
( funktioniert in 90 Prozent der Platinen )
Hauptspeicher - DDR2 Speicher
auf 240 Pin DIMMs basiert wie auch DDR3 noch immer auf
derselben Technologie, bietet allerdings einen größeren
Prefetch und weitaus höhere Taktraten mit bis zu 400 MHz
mit DDR2 DDR2 800DDR2 SDRAM ist eine Weiterentwicklung des
Konzeptes von DDR SDRAM bei dem statt mit einem Zweifach
Prefetch mit einem Vierfach Prefetch gearbeitet wird
DDR2 SDRAM Speichermodule DIMM besitzen 240 Kontakte
Pins (DDR3 SDRAM DIMM: ebenfalls 240, DDR SDRAM DIMM:
184, SDRAM DIMM: 168 Kontakte)
Die Abmessungen der fertig verpackten Speicherchips
sind kleiner 126 mm² statt bisher 261 mm²
Erreicht wird dies durch eine andere Verpackungstechnik:
FBGA Fine Pitch Ball Grid Array statt TSOP Thin Small
Outline Package
Bei DDR2 SDRAM taktet der I O Puffer mit der
zweifachen Frequenz der Speicherchips. Hier erhält man
wie bei dem älteren DDR Standard jeweils bei steigender
als auch bei fallender Flanke des Taktsignals gültige
Daten. Beim DDR SDRAM werden mit einem Read Kommando
mindestens zwei aufeinanderfolgende Adressen gelesen,
bei DDR2 SDRAM vier. Dies ist bedingt durch die Prefetch
Methode des jeweiligen Standards. Aus einem 128 Bit
breiten DDR Modul werden also pro Read 256 Bit gelesen
aus einem vergleichbaren DDR2 Modul 512. Die absolute
Datenmenge bleibt bei gleichem I O Takt von zum Beispiel
200 MHz aber identisch da das DDR2 Modul zwei
anstelle von einem Takt benötigt, um die Daten zu übertragen.
DDR2 unterstützt nur 2 mögliche Burst Längen Anzahl
an Datenwörtern, die mit einem einzelnen Kommando
gelesen oder geschrieben werden können nämlich vier
bedingt durch Vierfach Prefetch oder acht, DDR hingegen
unterstützt zwei, vier oder acht
Zur Erhöhung der Taktraten und zur Senkung der
elektrischen Leistungsaufnahme wurde die Signal und
Versorgungsspannung von DDR2 SDRAM auf 1,8 Volt
verringert bei DDR SDRAM sind es 2,5 V Nebenbei führt
die verringerte Spannung zu einer geringeren
Wärmeentwicklung
DDR2 SDRAM Chips arbeiten mit On Die Termination
(ODT). Der Speicherbus muss also nicht mehr auf der
Modulplatine (oder dem Board) terminiert werden. Die
Terminierungsfunktion wurde direkt in die Chips
integriert, was Platz und Kosten spart. ODT arbeitet wie
folgt: Der Speicher Controller sendet ein Signal auf den
Bus aus das alle inaktiven DDR2 SDRAM Chips dazu
veranlasst, auf Terminierung umzuschalten. Somit
befindet sich nur das aktive Signal auf der
Datenleitung, Interferenzen sind so gut wie
ausgeschlossen
Um DDR2 SDRAMs nicht versehentlich in einen DDR
SDRAM Steckplatz zu stecken was bei Inbetriebnahme den
DDR2 SDRAM Riegel wegen der höheren Spannung zerstören
würde wurde die Einkerbung mehr zur Mitte des Moduls
verschoben
Chip
|
Modul |
Speichertakt |
I/O-Takt |
Effektiver Takt |
rate pro Modul |
rate Dual
Channel |
DDR2-400 |
PC2-3200 |
100 MHz |
200 MHz |
400 MHz |
3,2 GB/s |
6,4 GB/s |
DDR2-533 |
PC2-4200 |
133 MHz |
266 MHz |
533 MHz |
4,2 GB/s |
8,4 GB/s |
DDR2-667 |
PC2-5300 |
166 MHz |
333 MHz |
667 MHz |
5,3 GB/s |
10,6 GB/s |
DDR2-800 |
PC2-6400 |
200 MHz |
400 MHz |
800 MHz |
6,4 GB/s |
12,8 GB/s |
DDR2-1066 |
PC2-8500 |
266 MHz |
533 MHz |
1066 MHz |
8,5 GB/s |
17,0 GB/s |
Hauptspeicher DDR2 Speicher Fragen und Antworten
PC2-8000 PC2-8500 - 1066 DDR 2 Speicher Lohnt sich das beantwortet diese Seite
kann ich ein pc2-8500 speicher einbauen statt pc2-4200
Auf fast allen Platinen laufen die Dual Ram Kits Kingston Value DDR2-800 auch auf DDR2-400 usw !
Hauptspeicher - DDR3 Speicher
auf 240 Pin DIMMs und noch schnellere 800 MHz für DDR3
DDR3 1600
All diese Technologien funktionieren ursprünglich im
Einkanal Betrieb. Schon allein dadurch konnte die
Performance über vergangene Generationen hinweg durch das
Weiten des Speicherbus und die Steigerung der
Speichergeschwindigkeit kontinuierlich erhöht werden
DDR3 SDRAM ist eine Weiterentwicklung des
Konzeptes von DDR2 SDRAM bei dem statt mit einem Vierfach
Prefetch mit einem Achtfach Prefetch gearbeitet
wird
Die neuen Chips mit einer Kapazität von 512 MiBit
sollen Daten mit 8.500 MiBps verarbeiten und sind
damit deutlich schneller als DDR 400 oder auch DDR2 667
SDRAM. Allerdings ist die CAS Latenz höher. Darüber
hinaus benötigt DDR3 SDRAM auch nur noch 1,5 Volt
statt 1,8 Volt und ist damit gerade für den
mobilen Einsatz besser geeignet bei dem es auf lange
Batterielaufzeiten ankommt. DDR3 SDRAM wird seit dem 5.
Juli 2006 bei Samsung in 80 nm Prozesstechnologie
hergestellt. Man erwartet dass die neue
Speichergeneration bis 2009 einen Marktanteil von 65 %
am gesamten DRAM Markt erreichen wird
DDR3 SDRAM Speichermodule DIMM besitzen 240 Kontakte
Pins (DDR2 SDRAM DIMM ebenfalls 240, DDR SDRAM DIMM:
184, SDRAM DIMM: 168 Kontakte) SODIMM Module für
Notebooks haben 204 Kontakte gegenüber 200 Kontakten
als DDR2 Variante
Chip
|
Modul |
Speichertakt |
I/O Takt |
Effektiver Takt |
rate pro Modul |
rate
Dual-Channel |
DDR3-800 |
PC3-6400 |
100 MHz |
400 MHz |
800 MHz |
6,4 GB/s |
12,8 GB/s |
DDR3-1066 |
PC3-8500 |
133 MHz |
533 MHz |
1066 MHz |
8,5 GB/s |
17,0 GB/s |
DDR3-1333 |
PC3-10600 |
166 MHz |
667 MHz |
1333 MHz |
10,6 GB/s |
21,2 GB/s |
DDR3-1600 |
PC3-12800 |
200 MHz |
800 MHz |
1600 MHz |
12,8 GB/s |
25,6 GB/s |
Wie bei DDR1 SDRAM gibt es auch bei DDR3 SDRAM
Registered Module mit oder ohne ECC
Im Bereich des Video RAMs wird schon seit längerem GDDR3
eingesetzt. Dieser basiert aber auf DDR2 Speicherchips
lediglich die Spannung wurde abgesenkt (Spannung VDD, VDDQ
= 1,5 V, 1,5 V anstatt 2,5 V, 1,8 V).
Die Bezeichnung GDDR3 besitzt keine offiziellen
Spezifikationen sondern wurde aus Marketing Gründen
gewählt um sich von den weniger erfolgreichen GDDR2
abzugrenzen
Hauptspeicher - SO DIMM
SO DIMMs (Small Outline Dual Inline Memory Module)
sind Speichermodule die hauptsächlich in Notebook
Systemen eingesetzt werden. Durch ihre Bauform und den
niedrigen Stromverbrauch sind sie ideal für diesen
VerwendungszweckDie Module haben (wie ein 168 poliges DIMM) auf
jeder Seite der Platine separate Anschlüsse. SO DIMMs
gibt es als 72 poliges (nicht zu verwechseln mit einem
72 poligen SIMM) und als 144 poliges Modul. Der
Unterschied dieser beiden Modularten liegt in der
Breite der Datenbusse. Der 72 polige SO DIMM hat einen
4 Byte, der 144 polige einen 8 Byte breiten Datenbus
Es gibt 72 polige SO DIMMs sowohl als 32 bit (non
parity) Module als auch mit 36 bit (parity) Bestückung.
Bei den 144 poligen SO DIMMs gibt es ebenfalls Varianten
mit 64 bit (non parity) und 72 bit (parity)
72 polige SO DIMMs sind üblicherweise mit FPM oder
EDO Chips mit 5V oder 3,3V bestückt 144 polige mit EDO
oder SDRAM Chips mit 3,3V. Leider haben in der
Anfangszeit vor der endgültigen Festigung des Standards
bei 144 poligen EDO SO DIMMs mehrere Hersteller
zueinander inkompatible Abweichungen implementiert so daß
diese Module nicht immer untereinander austauschbar sind
Es gibt auch DDR SDRAM in SO DIMM Bauform diese
haben (egal ob DDR oder DDR2) 200 Pins allerdings
befindet sich bei DDR die Kerbe geringfügig näher am
Rand der Module als bei DDR2 daher sind sie schon rein
mechanisch nicht kompatibel
Hauptspeicher - Dual Channel Speicher
Als Dual Channel wird die Fähigkeit
aktueller Speichercontroller bezeichnet, zwei
Arbeitsspeicher Module gleicher Kapazität parallel zu
betreiben, wodurch eine höhere Datentransferrate
erzielt wird
- Dual Channel Betrieb braucht immer ein
Servicepack des Chipsatzes AMD VIA NVIDIA..
Unterschiede zwischen
CPU Herstellern
Der Speichercontroller ist bei Intel CPU basierten
Systemen in der Northbridge des Chipsatzes zu finden.
Dieser wiederum ist über den Front Side Bus an die CPU
gekoppelt. Beim Betrieb im Dual Channel Modus wird somit
nicht die Bandbreite zwischen Prozessor und Speicher
sondern die Bandbreite zwischen Speichercontroller und
Speicher erhöht
Bei AMD CPU basierten System ist seit der Einführung
des Athlon 64 der Speichercontroller direkt in die CPU
integriert. Die Dual Channel Fähigkeit hängt dort
somit von der CPU ab nicht vom Chipsatz der
Hauptplatine. Beim Athlon 64 könnte man davon sprechen,
dass im Dual Channel Modus die Bandbreite zwischen
Hauptspeicher und CPU steigt da sich der
Speichercontroller schließlich in selbiger befindet.
Allerdings müssen die Daten innerhalb der CPU dennoch
vom Speichercontroller zum L2 Cache gelangen bevor sie
verarbeitet werden können. Die effektive Bandbreite
zwischen CPU und Hauptspeicher bleibt also ebenfalls
identisch
Die Stabilität und Geschwindigkeit von Dual
Channel lässt sich verbessern durch z B
- Gleiche Betriebsgeschwindigkeit der beiden Module
ansonsten limitiert das langsamste Modul
- Gleicher Speichermodulhersteller gleiches Modell
dieses wird oft mit Aufpreis als Dual Channel Paket
verkauft
Im Gegensatz zum Single Channel Modus bei dem der
Datenbus 64 bit breit ist also 64 Datenleitungen werden
im Dual Channel Modus zwei Module gleichzeitig mit 64
Bit Datenbus betrieben. Da die Taktrate mit der der
Speicher betrieben wird gleich bleibt, sich die übertragenen
Daten pro Takt jedoch verdoppeln (also 128 Bit pro Takt
statt wie bisher 64 Bit) führt der Einsatz des Dual
Channel Modus theoretisch zur Verdopplung des
Speicherdurchsatzes. So kann PC-3200 Speicher im Single
Channel Modus ca. 3,2 Gigabyte/sec an Daten zum
Speichercontroller transferieren im Dual Channel Modus
sind es dann ca. 6,4 Gigabyte/sec
Hauptspeicher - Was ist CAS Latency?
Mit der CAS Latency wird sehr vereinfacht gesprochen, die Anzahl der Taktzyklen von der
Anforderung von Daten bis zur Bereitstellung am Speicherbus angegeben. Im Allgemeinen
ist ein Modul schneller, je geringer diese Latenz ist
CAS Latency (CL) steht für Column Access Strobe Latency. Die CAS Latency ist
eine Kenngröße für Speichermodule (RAM) Column Access Strobe (CAS) ist ein Signal
zur Auswahl der Spalte (Column) eines Speicherchips. Zwischen dem Anlegen des
CAS-Signals und Anliegen der Daten am Bus vergeht eine gewisse Zeit. Diese Zeit ist
die CAS Latency.
Die CAS Latency wird oft in Takten angegeben. Auf den RAM-Modulen finden sich
Bezeichnungen wie CL1,5 CL2 oder CL3 CL5 CL6 CL7 CL10. Je kleiner die CAS Latency,
desto höher ist die mögliche Performance des Systems
Für Übertakter auch interessant ist die Command Rate (1T/2T), obwohl diese
Latenzzeit des Speicherchips keine isolierte Eigenschaft ist. Diese Wartezeit wird
dann nötig, wenn viele Chips am Speicherkanal aktiv sind und dadurch die
Adressleitungen des Speichercontrollers stärker belastet werden. In der Regel
lassen sich bis zu 3 Ranks (ein Double-Rank und ein Single-Rank) mit 1T ansprechen,
bei mehr muss man entweder die Command Rate verlängern oder die Taktfrequenz
absenken
Hauptspeicher - Registered Modul
Der Begriff Registermodul oder englisch Registered
Modul (auch R DIMM, RDIMM, Registered
Speicher oder Registered RAM genannt)
bezeichnet eine Speichereigenschaft die häufig bei
Hauptspeichern von Servern und Workstations Verwendung
findet. Ziel der Technik ist es mit Registern die
Speichermenge und Datenintegrität zu erhöhen
während der elektrische Widerstand verringert wird.
Der Begriff wird oft fälschlicherweise synonym mit
der Vorgängertechnik Buffered Modul - gepuffertes
Modul - verwendet da beide ähnliche Ziele verfolgen
Unterschied GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5
GDDR
GDDR basiert auf Speicherbausteinen nach DDR-SDRAM-Standard die mittels geringer Zugriffszeiten auf hohe Taktfrequenzen optimiert wurden. Bei dieser ersten Generation liegt die Spannung von VDD und VDDQ bei 2,5 V. Mit Taktraten von 166 bis 400 MHz und Read-Latenzen von 3, 4 und 5 Taktzyklen wird ein maximaler Datendurchsatz von 25,6 GB/s bei 256-Bit Anbindung erreicht. GDDR arbeitet wie der DDR-SDRAM mit einem Zweifach-Prefetch
GDDR2 stellte als Weiterentwicklung von GDDR einen unpopulären Zwischenschritt dar, es wurden zwar höhere Taktfrequenzen erreicht, aber GDDR2 hatte Probleme mit der entstehenden Abwärme bei hohen Frequenzen. Nur auf wenigen Grafikkarten wie der GeForce FX 5800 Ultra wurde GDDR2 mit der maximalen Taktfrequenz von 500 MHz benutzt, die meisten Hersteller nutzen maximal 400 MHz oder darunter. Merkmale waren die VDD/VDDQ-Spannungen von 2,5/1,8 Volt, Taktraten von 400 bis 500 MHz und Read-Latenzen von 5, 6 und 7 Taktzyklen. Damit wurde ein maximaler Datendurchsatz von 32 GB/s bei 256-Bit Anbindung erreicht
GDDR3 ist eine Abwandlung von DDR2-SDRAM zur Nutzung auf Grafikkarten. Wie schon bei (G)DDR wurde mittels niedriger Zugriffszeiten und veränderter Read-Latenzen auf hohen Speichertakt optimiert. GDDR3 arbeitet wie DDR2-SDRAM mit einer VDD/VDDQ-Spannung von 1,8 V. Bei Taktraten von 500 bis 1080 MHz und Read-Latenzen von 5 bis 9 Taktzyklen ist ein maximaler Datendurchsatz von 67,5 GB/s bei 256-Bit Anbindung möglich. GDDR3 arbeitet wie der DDR2-SDRAM mit einem Vierfach-Prefetch.
GDDR3 wurde von ATI entworfen und kam
aber zum ersten Mal bei der nVidia GeForce FX 5700 Ultra und danach bei der GeForce 6800 Ultra zum Einsatz. Bei ATI Technologies wurde der Speicher zum ersten Mal bei der Radeon X800 verbaut. Weitere bekannte Produkte, bei denen GDDR3 Verwendung findet, sind Sonys Playstation 3 (256 MB für die Grafikkarte) und Microsofts Xbox 360 (512 MB werden von CPU und GPU gleichzeitig genutzt)
GDDR4 ist eine Weiterentwicklung von GDDR3 und basiert damit weiterhin auf einer DDR2-ähnlichen Technik. Allerdings erfolgten Überarbeitungen speziell im I/O-Bereich um höhere Taktfrequenzen zu ermöglich. Auch konnten die Versorgungsspannung weiter gesenkt werden. Der Start der Serienproduktion von GDDR4 ist bei Samsung am 5. Juli 2006 erfolgt. Testmuster von Hynix sind verfügbar; voraussichtlich sind Taktfrequenzen bis zu 1,45 GHz möglich. Damit sollte ein maximaler Datendurchsatz von bis zu 92,8 GB/s bei 256-Bit-Anbindung erreicht werden. Die erste Grafikkarte, in der GDDR4 mit einer Taktfrequenz von 1 GHz eingesetzt wurde, ist die Radeon X1950 XTX von ATI. Allerdings konnte sich GDDR4 nie wirklich durchsetzen, da die Unterschiede zu GDDR3 zu klein sind
Qimonda hat die ersten GDDR5-SDRAM-Chips in größeren Stückzahlen ausgeliefert, während Hynix die ersten Muster vorstellte. Dieser besitzt eine Größe von 512 MBit. Die Großserienfertigung begann im ersten Halbjahr 2008. Bei 2,5 GHz Taktfrequenz liefert GDDR5 pro Anschlusspin und Sekunde rund 5 GBit an Daten, das addiert sich bei den üblichen x32-Chips auf 20 GByte/s pro Bauelement. Grafikprozessoren mit 256 Datenleitungen für die Speicheranbindung erreichen mit acht parallel angeschlossenen 2,5-GHz-GDDR5-Chips also 160 GByte/s. Die erste Grafikkarte, in der GDDR5 zum Einsatz kommt, ist die ATI-Radeon HD 4870, die in den ersten Versionen über 512MB GDDR5 Speicher verfügt
Hauptspeicher - RAM - Was ist Ram?
Wikipedia: Ein Speichermodul oder Speicherriegel ist eine kleine Leiterplatte, auf der mehrere Speicherbausteine aufgelötet sind..
Speichermodule
in Wikipedia
Computer Faqs PC Probleme Hilfen Lösungen Fragen und Antworten
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