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Hauptspeicher RAM Memory Unterschiede - Computer Faqs

Arbeitsspeicher Unterschiede und Bezeichnungen - es gibt viele verschiedene Speichermodule, DDR, EDO, RAM Chips und Bänke, ECC und Registered Hauptspeicher, Simm und Dimm Module, Kennzeichnungen, Bedeutung von Original Speicher on 3rd Information Memories Hauptspeicher Info

Hauptspeicher - Arbeitsspeicher - Speicher - RAM - Memory

Was ist der Unterschied zwischen den verschiedenen "PCxxx" Bezeichnungen?

Mit den verschiedenen PCxxx Bezeichnungen wird hauptsächlich die Geschwindigkeit bestimmter Module angegeben. Zu Anfang war zum Beispiel PC100 die Bezeichnung für den entsprechenden Speicherstandard, mittlerweile gibt es aber so viele "PC"-Bezeichnungen, dass sich dahinter mehrere Standards verbergen

Mit PC66, PC100 und PC133 wurde direkt der jeweilige Bustakt in MHz erwähnt. Die Speichermodule waren zudem abwärtskompatibel, PC133 liefen somit auch in den meisten PC100 Mainboards

Bei SDRAM-DDR hat man eine etwas andere Art der Bezeichnung gewählt. Mit den Bezeichnungen DDR200, DDR266, DDR333, DDR400, DDR433, DDR466, DDR500, DDR533 und DDR550 wird hier auf den Bustakt in Double Data Rate hingewiesen: 100 bis 275 "echte" MHz. Zusätzlich wird jedes Modul auch noch vergleichend mit einer PC-Bezeichnung angegeben, welches den maximalen Datendurchsatz in MB/s angibt: PC1600, PC2100, PC2700, PC3200, PC3500, PC3700, PC4000, PC4300 und PC4400

Die Bezeichnungen für SDRAM-DDR2 sind fast identisch mit herkömmlichen DDR-Speicher. Mit den Bezeichnungen DDR2-400, DDR2-533 und DDR2-667 wird der Bustakt in Double Data Rate angegeben (200 - 333 MHz), die Bezeichnungen PC2-3200, PC2-4300 und PC2-5300 beziehen sich auf den maximalen Datendurchsatz in MB/s

Da RDRAM RIMM auch mit Double Data Rate laufen, wurde aus den "echten" 400 MHz kurzerhand PC800. Dies wurde bei allen folgenden Geschwindigkeiten beibehalten: PC600, PC700, PC800, PC1066 sowie PC1200

Wenn also die Bezeichnung auf dem Modul mit der Bezeichnung auf dem Mainboard übereinstimmt, ist es sehr wahrscheinlich, dass die Speichermodule auf einem bestimmten Board auch laufen werden. Bestimmte Boards unterstützen auch Dual-Channel-Speicher, es können zwei identische Module so eingesetzt werden, daß sich die Bandbreite verdoppelt, da auf die Module unabhängig voneinander zugegriffen werden kann

Hauptspeicher Welche Bauformen gibt es bei Speichermodulen ?

Da Speicherchips mit mehreren hundert Megabyte pro Stück nicht produziert werden können, wird jeweils eine bestimmte Anzahl Chips mit einer bestimmten Kapazität zu einer kleinen Platine, dem Speichermodul, mit der gewünschten Gesamtkapazität zusammengefasst. Die Module werden dann über auf dem Mainboard vorhandene Slots mit dem Rest des Computers verbunden. Dieses Prinzip ist wesentlich flexibler, als das direkte Auflöten von Chips auf ein Mainboard. Bei Grafikkarten hingegen werden die Speicherchips direkt mit der Platine verbunden

Die verschiedenen Bauformen können, so wie verschiedene Speicherarten, nicht gemeinsam auf einem Mainboard verwendet werden. Im folgenden eine kurze Übersicht über die bekanntesten Bauformen


Hauptspeicher - SIM Module

Simm Modul (EDO)

Single Inline Memory mit 72 Pins waren für Fast Page Modus DRAM FPM notwendig, der Ende der 90er allerdings schnell durch EDO Speicher Enhanced Data Output ersetzt wurde. Obwohl es 64 MB PS/2 SIMMs gibt, war pro Modul üblicherweise bei 32 GB Schluss. Das Modul mit 72 Pins setzte man auch für den etwas schnelleren EDO DRAM ein, wo es für bessere Leseleistung beim Auslesen zahlreicher Daten einer Seite ging, sofern die Zeilen Adresse nicht verändert werden musste. Die maximale Bandbreite von EDO lag bei 266 MB/s

Hauptspeicher - SDRAM

Dimm Modul SDRAM

nach EDO folgte dann synchroner DRAM auf 128 Pin DIMMs (64 Bit Datenbus bei 3,3 V) – wo die Taktrate entweder durch den Systembus oder den Memory Controller bestimmt wird. Bereits die erste Generation von PC66-Speicher war doppelt so schnell wie EDO DRAM und auch die folgenden Generationen haben sich gesteigert: PC100 und PC133 fanden Verbreitung

Hauptspeicher - DDR SDRAM

Dimm Modul SDRAM DDR

Danach wurde Double Data Rate entwickelt, der 184 Pin DDR DIMMs nutzte. Durch Datenübermittlung mit bis zu 200 MHz Grundtaktung DDR400 sowohl während der fallenden als auch der steigenden Taktflanke konnte der Datendurchsatz verdoppelt werden. Die Spannungsversorgung wurde derweil auf 2,5 V gesenkt

Während normale SDRAM Module bei einem Takt von 133 MHz eine Datenübertragungsrate von 1,06 GB/s bieten arbeiten Module mit DDR SDRAM nahezu mit der doppelten Datenrate. Möglich wird das durch einen relativ simplen Trick: Sowohl bei der auf als auch bei der absteigenden Flanke des Taktsignals wird ein Datenbit übertragen anstatt wie bisher nur bei der aufsteigenden

Damit das Double Data Rate Verfahren zu einer Beschleunigung führt muss die Anzahl zusammenhängend angeforderter Daten = Burst Length immer gleich oder größer als die doppelte Busbreite sein. Da das nicht immer der Fall sein kann ist DDR SDRAM im Vergleich zu einfachem SDRAM bei gleichem Takt nicht exakt doppelt so schnell. Ein weiterer Grund ist dass Adress und Steuersignale im Gegensatz zu den Datensignalen nur mit einer Taktflanke gegeben werden

DDR SDRAM Speichermodule DIMM besitzen 184 Kontakte Pins (DDR2-SDRAM DIMM/DDR3-SDRAM DIMM: 240, SDRAM DIMM: 168 Kontakte)

DDR 200 bis DDR 400 sowie die damit aufgebauten PC 1600 bis PC 3200 Speichermodule sind von der JEDEC als JESD79 standardisiert. Alle davon abweichenden Module orientieren sich zwar von den Bezeichnungen her an den Standards aber jeder Hersteller setzt bei den elektrischen Eigenschaften der oft als  Übertakter Speicher angebotenen Module seine eigenen Spezifikationen und arbeitet oft mit exzessiver Überspannung

Einen zusätzlichen Sicherheitsgewinn bringen die oft bei Servern eingesetzten Speichermodule mit ECC (Error Checking and Correction) oder auch Registered Module mit Signalpuffer. Solche Speichermodule sind in allen standardisierten Taktfrequenzen erhältlich und an der zusätzlichen Bezeichnung R, ECC oder R ECC erkennbar PC-1600R PC-2100 ECC oder PC-2700R ECC

Chip

Modul Speichertakt I/O Takt Effektiver Takt rate pro Modul rate Dual Channel
DDR-200 PC-1600 100 MHz 100 MHz 200 MHz 1,6 GB/s 3,2 GB/s
DDR-266 PC-2100 133 MHz 133 MHz 266 MHz 2,1 GB/s 4,2 GB/s
DDR-333 PC-2700 166 MHz 166 MHz 333 MHz 2,7 GB/s 5,4 GB/s
DDR-400 PC-3200 200 MHz 200 MHz 400 MHz 3,2 GB/s 6,4 GB/s

Hauptspeicher - DDR Speicher Fragen und Antworten

laut Beschreibung braucht ein Mainboard DDR-RAM PC1600 oder PC2100 also mit 266 MHz. Diese sind aber (zumindest grösser als 512 MB) nicht mehr oder kaum noch zu bekommen

Deshalb die Frage: Funktionieren auch schnellere DDR RAMs also z.B. 400 MHz ?

Und wenn ja, funktioniert auch Mischbestückung, also ein vorhandener 512 MB Riegel 266 MHz zusammen mit einem neuen noch zu kaufenden 1 GB Riegel mit 400 MHz

Antwort: Wir verbauen grosse Mengen an 1GB DDR400 Samsung Originalspeicher in Systemen mit VIA KT333 Chipsatz und teilweise auch in KT266 Chipsatz Hauptplatinen ! Die Ram die drinnen sind nehmen wir aber heraus ( funktioniert in 90 Prozent der Platinen )


Hauptspeicher - DDR2 Speicher

Dimm Modul DDR2

auf 240 Pin DIMMs basiert wie auch DDR3 noch immer auf derselben Technologie, bietet allerdings einen größeren Prefetch und weitaus höhere Taktraten mit bis zu 400 MHz mit DDR2 DDR2 800

DDR2 SDRAM ist eine Weiterentwicklung des Konzeptes von DDR SDRAM bei dem statt mit einem Zweifach Prefetch mit einem Vierfach Prefetch gearbeitet wird

DDR2 SDRAM Speichermodule DIMM besitzen 240 Kontakte Pins (DDR3 SDRAM DIMM: ebenfalls 240, DDR SDRAM DIMM: 184, SDRAM DIMM: 168 Kontakte)

Die Abmessungen der fertig verpackten Speicherchips sind kleiner 126 mm² statt bisher 261 mm² Erreicht wird dies durch eine andere Verpackungstechnik: FBGA Fine Pitch Ball Grid Array statt TSOP Thin Small Outline Package

Bei DDR2 SDRAM taktet der I O Puffer mit der zweifachen Frequenz der Speicherchips. Hier erhält man wie bei dem älteren DDR Standard jeweils bei steigender als auch bei fallender Flanke des Taktsignals gültige Daten. Beim DDR SDRAM werden mit einem Read Kommando mindestens zwei aufeinanderfolgende Adressen gelesen, bei DDR2 SDRAM vier. Dies ist bedingt durch die Prefetch Methode des jeweiligen Standards. Aus einem 128 Bit breiten DDR Modul werden also pro Read 256 Bit gelesen aus einem vergleichbaren DDR2 Modul 512. Die absolute Datenmenge bleibt bei gleichem I O Takt von zum Beispiel 200 MHz aber identisch da das DDR2 Modul zwei anstelle von einem Takt benötigt, um die Daten zu übertragen. DDR2 unterstützt nur 2 mögliche Burst Längen Anzahl an Datenwörtern, die mit einem einzelnen Kommando gelesen oder geschrieben werden können nämlich vier bedingt durch Vierfach Prefetch oder acht, DDR hingegen unterstützt zwei, vier oder acht

Zur Erhöhung der Taktraten und zur Senkung der elektrischen Leistungsaufnahme wurde die Signal und Versorgungsspannung von DDR2 SDRAM auf 1,8 Volt verringert bei DDR SDRAM sind es 2,5 V Nebenbei führt die verringerte Spannung zu einer geringeren Wärmeentwicklung

DDR2 SDRAM Chips arbeiten mit On Die Termination (ODT). Der Speicherbus muss also nicht mehr auf der Modulplatine (oder dem Board) terminiert werden. Die Terminierungsfunktion wurde direkt in die Chips integriert, was Platz und Kosten spart. ODT arbeitet wie folgt: Der Speicher Controller sendet ein Signal auf den Bus aus das alle inaktiven DDR2 SDRAM Chips dazu veranlasst, auf Terminierung umzuschalten. Somit befindet sich nur das aktive Signal auf der Datenleitung, Interferenzen sind so gut wie ausgeschlossen

Um DDR2 SDRAMs nicht versehentlich in einen DDR SDRAM Steckplatz zu stecken was bei Inbetriebnahme den DDR2 SDRAM Riegel wegen der höheren Spannung zerstören würde wurde die Einkerbung mehr zur Mitte des Moduls verschoben

Chip

Modul Speichertakt I/O-Takt Effektiver Takt rate pro Modul rate Dual Channel
DDR2-400 PC2-3200 100 MHz 200 MHz 400 MHz 3,2 GB/s 6,4 GB/s
DDR2-533 PC2-4200 133 MHz 266 MHz 533 MHz 4,2 GB/s 8,4 GB/s
DDR2-667 PC2-5300 166 MHz 333 MHz 667 MHz 5,3 GB/s 10,6 GB/s
DDR2-800 PC2-6400 200 MHz 400 MHz 800 MHz 6,4 GB/s 12,8 GB/s
DDR2-1066 PC2-8500 266 MHz 533 MHz 1066 MHz 8,5 GB/s 17,0 GB/s

Hauptspeicher DDR2 Speicher Fragen und Antworten

PC2-8000 PC2-8500 - 1066 DDR 2 Speicher Lohnt sich das beantwortet diese Seite

kann ich ein pc2-8500 speicher einbauen statt pc2-4200

Auf fast allen Platinen laufen die Dual Ram Kits Kingston Value DDR2-800 auch auf DDR2-400 usw !


Hauptspeicher - DDR3 Speicher

auf 240 Pin DIMMs und noch schnellere 800 MHz für DDR3 DDR3 1600

All diese Technologien funktionieren ursprünglich im Einkanal Betrieb. Schon allein dadurch konnte die Performance über vergangene Generationen hinweg durch das Weiten des Speicherbus und die Steigerung der Speichergeschwindigkeit kontinuierlich erhöht werden

DDR3 SDRAM ist eine Weiterentwicklung des Konzeptes von DDR2 SDRAM bei dem statt mit einem Vierfach Prefetch mit einem Achtfach Prefetch gearbeitet wird

Die neuen Chips mit einer Kapazität von 512 MiBit sollen Daten mit 8.500 MiBps verarbeiten und sind damit deutlich schneller als DDR 400 oder auch DDR2 667 SDRAM. Allerdings ist die CAS Latenz höher. Darüber hinaus benötigt DDR3 SDRAM auch nur noch 1,5 Volt statt 1,8 Volt und ist damit gerade für den mobilen Einsatz besser geeignet bei dem es auf lange Batterielaufzeiten ankommt. DDR3 SDRAM wird seit dem 5. Juli 2006 bei Samsung in 80 nm Prozesstechnologie hergestellt. Man erwartet dass die neue Speichergeneration bis 2009 einen Marktanteil von 65 % am gesamten DRAM Markt erreichen wird

DDR3 SDRAM Speichermodule DIMM besitzen 240 Kontakte Pins (DDR2 SDRAM DIMM ebenfalls 240, DDR SDRAM DIMM: 184, SDRAM DIMM: 168 Kontakte) SODIMM Module für Notebooks haben 204 Kontakte gegenüber 200 Kontakten als DDR2 Variante

Chip

Modul Speichertakt I/O Takt Effektiver Takt rate pro Modul rate Dual-Channel
DDR3-800 PC3-6400 100 MHz 400 MHz 800 MHz 6,4 GB/s 12,8 GB/s
DDR3-1066 PC3-8500 133 MHz 533 MHz 1066 MHz 8,5 GB/s 17,0 GB/s
DDR3-1333 PC3-10600 166 MHz 667 MHz 1333 MHz 10,6 GB/s 21,2 GB/s
DDR3-1600 PC3-12800 200 MHz 800 MHz 1600 MHz 12,8 GB/s 25,6 GB/s

Wie bei DDR1 SDRAM gibt es auch bei DDR3 SDRAM Registered Module mit oder ohne ECC

Im Bereich des Video RAMs wird schon seit längerem GDDR3 eingesetzt. Dieser basiert aber auf DDR2 Speicherchips lediglich die Spannung wurde abgesenkt (Spannung VDD, VDDQ = 1,5 V, 1,5 V anstatt 2,5 V, 1,8 V). Die Bezeichnung GDDR3 besitzt keine offiziellen Spezifikationen sondern wurde aus Marketing Gründen gewählt um sich von den weniger erfolgreichen GDDR2 abzugrenzen


Hauptspeicher - SO DIMM

Modul SO DIMM

SO DIMMs (Small Outline Dual Inline Memory Module) sind Speichermodule die hauptsächlich in Notebook Systemen eingesetzt werden. Durch ihre Bauform und den niedrigen Stromverbrauch sind sie ideal für diesen Verwendungszweck

Die Module haben (wie ein 168 poliges DIMM) auf jeder Seite der Platine separate Anschlüsse. SO DIMMs gibt es als 72 poliges (nicht zu verwechseln mit einem 72 poligen SIMM) und als 144 poliges Modul. Der Unterschied dieser beiden Modularten liegt in der Breite der Datenbusse. Der 72 polige SO DIMM hat einen 4 Byte, der 144 polige einen 8 Byte breiten Datenbus

Es gibt 72 polige SO DIMMs sowohl als 32 bit (non parity) Module als auch mit 36 bit (parity) Bestückung. Bei den 144 poligen SO DIMMs gibt es ebenfalls Varianten mit 64 bit (non parity) und 72 bit (parity)

72 polige SO DIMMs sind üblicherweise mit FPM oder EDO Chips mit 5V oder 3,3V bestückt 144 polige mit EDO oder SDRAM Chips mit 3,3V. Leider haben in der Anfangszeit vor der endgültigen Festigung des Standards bei 144 poligen EDO SO DIMMs mehrere Hersteller zueinander inkompatible Abweichungen implementiert so daß diese Module nicht immer untereinander austauschbar sind

Es gibt auch DDR SDRAM in SO DIMM Bauform diese haben (egal ob DDR oder DDR2) 200 Pins allerdings befindet sich bei DDR die Kerbe geringfügig näher am Rand der Module als bei DDR2 daher sind sie schon rein mechanisch nicht kompatibel

Hauptspeicher - Dual Channel Speicher

Als Dual Channel wird die Fähigkeit aktueller Speichercontroller bezeichnet, zwei Arbeitsspeicher Module gleicher Kapazität parallel zu betreiben, wodurch eine höhere Datentransferrate erzielt wird
  • Dual Channel Betrieb braucht immer ein Servicepack des Chipsatzes AMD VIA NVIDIA..

Unterschiede zwischen CPU Herstellern

Der Speichercontroller ist bei Intel CPU basierten Systemen in der Northbridge des Chipsatzes zu finden. Dieser wiederum ist über den Front Side Bus an die CPU gekoppelt. Beim Betrieb im Dual Channel Modus wird somit nicht die Bandbreite zwischen Prozessor und Speicher sondern die Bandbreite zwischen Speichercontroller und Speicher erhöht

Bei AMD CPU basierten System ist seit der Einführung des Athlon 64 der Speichercontroller direkt in die CPU integriert. Die Dual Channel Fähigkeit hängt dort somit von der CPU ab nicht vom Chipsatz der Hauptplatine. Beim Athlon 64 könnte man davon sprechen, dass im Dual Channel Modus die Bandbreite zwischen Hauptspeicher und CPU steigt da sich der Speichercontroller schließlich in selbiger befindet. Allerdings müssen die Daten innerhalb der CPU dennoch vom Speichercontroller zum L2 Cache gelangen bevor sie verarbeitet werden können. Die effektive Bandbreite zwischen CPU und Hauptspeicher bleibt also ebenfalls identisch

Die Stabilität und Geschwindigkeit von Dual Channel lässt sich verbessern durch z B

  • Gleiche Betriebsgeschwindigkeit der beiden Module ansonsten limitiert das langsamste Modul
  • Gleicher Speichermodulhersteller gleiches Modell dieses wird oft mit Aufpreis als Dual Channel Paket verkauft

Im Gegensatz zum Single Channel Modus bei dem der Datenbus 64 bit breit ist also 64 Datenleitungen werden im Dual Channel Modus zwei Module gleichzeitig mit 64 Bit Datenbus betrieben. Da die Taktrate mit der der Speicher betrieben wird gleich bleibt, sich die übertragenen Daten pro Takt jedoch verdoppeln (also 128 Bit pro Takt statt wie bisher 64 Bit) führt der Einsatz des Dual Channel Modus theoretisch zur Verdopplung des Speicherdurchsatzes. So kann PC-3200 Speicher im Single Channel Modus ca. 3,2 Gigabyte/sec an Daten zum Speichercontroller transferieren im Dual Channel Modus sind es dann ca. 6,4 Gigabyte/sec


Hauptspeicher - Was ist CAS Latency?

Mit der CAS Latency wird sehr vereinfacht gesprochen, die Anzahl der Taktzyklen von der Anforderung von Daten bis zur Bereitstellung am Speicherbus angegeben. Im Allgemeinen ist ein Modul schneller, je geringer diese Latenz ist

CAS Latency (CL) steht für Column Access Strobe Latency. Die CAS Latency ist eine Kenngröße für Speichermodule (RAM) Column Access Strobe (CAS) ist ein Signal zur Auswahl der Spalte (Column) eines Speicherchips. Zwischen dem Anlegen des CAS-Signals und Anliegen der Daten am Bus vergeht eine gewisse Zeit. Diese Zeit ist die CAS Latency.

Die CAS Latency wird oft in Takten angegeben. Auf den RAM-Modulen finden sich Bezeichnungen wie CL1,5 CL2 oder CL3 CL5 CL6 CL7 CL10. Je kleiner die CAS Latency, desto höher ist die mögliche Performance des Systems

Für Übertakter auch interessant ist die Command Rate (1T/2T), obwohl diese Latenzzeit des Speicherchips keine isolierte Eigenschaft ist. Diese Wartezeit wird dann nötig, wenn viele Chips am Speicherkanal aktiv sind und dadurch die Adressleitungen des Speichercontrollers stärker belastet werden. In der Regel lassen sich bis zu 3 Ranks (ein Double-Rank und ein Single-Rank) mit 1T ansprechen, bei mehr muss man entweder die Command Rate verlängern oder die Taktfrequenz absenken


Hauptspeicher - Registered Modul

Der Begriff Registermodul oder englisch Registered Modul (auch R DIMM, RDIMM, Registered Speicher oder Registered RAM genannt) bezeichnet eine Speichereigenschaft die häufig bei Hauptspeichern von Servern und Workstations Verwendung findet. Ziel der Technik ist es mit Registern die Speichermenge und Datenintegrität zu erhöhen während der elektrische Widerstand verringert wird. Der Begriff wird oft fälschlicherweise synonym mit der Vorgängertechnik Buffered Modul - gepuffertes Modul - verwendet da beide ähnliche Ziele verfolgen

Unterschied GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5 GDDR

GDDR basiert auf Speicherbausteinen nach DDR-SDRAM-Standard die mittels geringer Zugriffszeiten auf hohe Taktfrequenzen optimiert wurden. Bei dieser ersten Generation liegt die Spannung von VDD und VDDQ bei 2,5 V. Mit Taktraten von 166 bis 400 MHz und Read-Latenzen von 3, 4 und 5 Taktzyklen wird ein maximaler Datendurchsatz von 25,6 GB/s bei 256-Bit Anbindung erreicht. GDDR arbeitet wie der DDR-SDRAM mit einem Zweifach-Prefetch

GDDR2 stellte als Weiterentwicklung von GDDR einen unpopulären Zwischenschritt dar, es wurden zwar höhere Taktfrequenzen erreicht, aber GDDR2 hatte Probleme mit der entstehenden Abwärme bei hohen Frequenzen. Nur auf wenigen Grafikkarten wie der GeForce FX 5800 Ultra wurde GDDR2 mit der maximalen Taktfrequenz von 500 MHz benutzt, die meisten Hersteller nutzen maximal 400 MHz oder darunter. Merkmale waren die VDD/VDDQ-Spannungen von 2,5/1,8 Volt, Taktraten von 400 bis 500 MHz und Read-Latenzen von 5, 6 und 7 Taktzyklen. Damit wurde ein maximaler Datendurchsatz von 32 GB/s bei 256-Bit Anbindung erreicht

GDDR3 ist eine Abwandlung von DDR2-SDRAM zur Nutzung auf Grafikkarten. Wie schon bei (G)DDR wurde mittels niedriger Zugriffszeiten und veränderter Read-Latenzen auf hohen Speichertakt optimiert. GDDR3 arbeitet wie DDR2-SDRAM mit einer VDD/VDDQ-Spannung von 1,8 V. Bei Taktraten von 500 bis 1080 MHz und Read-Latenzen von 5 bis 9 Taktzyklen ist ein maximaler Datendurchsatz von 67,5 GB/s bei 256-Bit Anbindung möglich. GDDR3 arbeitet wie der DDR2-SDRAM mit einem Vierfach-Prefetch.

GDDR3 wurde von ATI entworfen und kam aber zum ersten Mal bei der nVidia GeForce FX 5700 Ultra und danach bei der GeForce 6800 Ultra zum Einsatz. Bei ATI Technologies wurde der Speicher zum ersten Mal bei der Radeon X800 verbaut. Weitere bekannte Produkte, bei denen GDDR3 Verwendung findet, sind Sonys Playstation 3 (256 MB für die Grafikkarte) und Microsofts Xbox 360 (512 MB werden von CPU und GPU gleichzeitig genutzt)

GDDR4 ist eine Weiterentwicklung von GDDR3 und basiert damit weiterhin auf einer DDR2-ähnlichen Technik. Allerdings erfolgten Überarbeitungen speziell im I/O-Bereich um höhere Taktfrequenzen zu ermöglich. Auch konnten die Versorgungsspannung weiter gesenkt werden. Der Start der Serienproduktion von GDDR4 ist bei Samsung am 5. Juli 2006 erfolgt. Testmuster von Hynix sind verfügbar; voraussichtlich sind Taktfrequenzen bis zu 1,45 GHz möglich. Damit sollte ein maximaler Datendurchsatz von bis zu 92,8 GB/s bei 256-Bit-Anbindung erreicht werden. Die erste Grafikkarte, in der GDDR4 mit einer Taktfrequenz von 1 GHz eingesetzt wurde, ist die Radeon X1950 XTX von ATI. Allerdings konnte sich GDDR4 nie wirklich durchsetzen, da die Unterschiede zu GDDR3 zu klein sind

Qimonda hat die ersten GDDR5-SDRAM-Chips in größeren Stückzahlen ausgeliefert, während Hynix die ersten Muster vorstellte. Dieser besitzt eine Größe von 512 MBit. Die Großserienfertigung begann im ersten Halbjahr 2008. Bei 2,5 GHz Taktfrequenz liefert GDDR5 pro Anschlusspin und Sekunde rund 5 GBit an Daten, das addiert sich bei den üblichen x32-Chips auf 20 GByte/s pro Bauelement. Grafikprozessoren mit 256 Datenleitungen für die Speicheranbindung erreichen mit acht parallel angeschlossenen 2,5-GHz-GDDR5-Chips also 160 GByte/s. Die erste Grafikkarte, in der GDDR5 zum Einsatz kommt, ist die ATI-Radeon HD 4870, die in den ersten Versionen über 512MB GDDR5 Speicher verfügt

Hauptspeicher - RAM - Was ist Ram?

Wikipedia: Ein Speichermodul oder Speicherriegel ist eine kleine Leiterplatte, auf der mehrere Speicherbausteine aufgelötet sind.. Speichermodule in Wikipedia


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